导通电阻是指二极管导通后两端电压与导通电流之比，是二极管的重要参数。
理想的PN结在正向导通后应该是www.58yuanyou.com没有电阻的，而实际的PN结比如二极管//www.58yuanyou.com受材料、工艺的影响，在导通时实际上两端还有一个电阻，这个电阻一般在几欧到几十欧之间，被称为导通电阻。
导通电阻可由二极管、两端电压和导通电流求得。
关于ZauQOGmh导通电阻的电气特性
晶www.58yuanyou.com体管的消耗功率用集电极饱和电压 （VCE(sat)） 乘以集电极电流（IC）表示。
（集电极损耗PC））＝（集电极饱和电压VCE(sat) ）x（集电极电流IC）
MOSFET的消耗功率是用漏极源极间导通电阻 （RDS(ON)） 计算。
MOSFET消耗原由网的功率PD用MOSFET自身具有的导通电阻乘以漏极电流（ID)的平方表示。
（功率PD）＝（导通电阻RDS(ON) ） x （漏极电流ID）2
此功率将变成热量散发出去。
MOSFET的导通电阻一般在极以下，与一般的晶体管相比，消耗功率小。即发热小，散热对策简单。
导通电阻比较
一般MOSFET的芯片尺寸（表面面积）越大，导通电阻越小。
封装尺寸越大可搭载的芯片尺寸就越大，因此导通电阻越小。
罗姆针对各种不同的封装尺寸，备有低导通电阻的产品。
选择更大尺寸的封装，导通电阻会更小。
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